Уже достаточно долгое время человечество, изучая работу мозга, пытается найти способ искусственно усилить мозговую активность. И чем более продвинутой становится наука – тем больше шансов на то, что подобная затея увенчается успехом. К примеру, недавно завершившийся проект, финансируемый DARPA, смог показать, что память человека можно усилить искусственным путем.

Как пишет издание Journal of Neural Engineering, в исследовании приняло участие 15 человек, которые в той или иной степени страдали от потери памяти из-за эпилепсии. Каждому участнику опытов в мозг были вживлены небольшие нейроимпланты, которые отслеживали то, что происходит в головном мозге во время процесса запоминания. Сами тесты были довольно простыми: людям нужно было посмотреть на изображение, а после перерыва правильно опознать его среди еще четырех других изображений. В это время ученые фиксировали мозговую активность для выявления тех участков мозга, которые больше других задействованы в процессах формирования памяти. Затем началась вторая фаза исследований: испытуемым также показывали картинки и предлагали опознать их среди четырех других, но только в этот раз выявленные ранее зоны мозга стимулировались нейроимплантами. В результате выяснилось, что краткосрочная память участников улучшилась на 37%, а долгосрочная — на 35%. Как заявил глава проекта Роберт Хэмпсон,

«Мы впервые смогли идентифицировать код для процесса формирования памяти в головном мозге и по сути смогли записать этот код, чтобы существующая память работала быстрее. Это является важным шагом для потенциального излечения потери памяти и увеличения ее объемов».

Однако, несмотря на столь обнадеживающие результаты, говорить об окончательном успехе технологии можно будет лишь после проведения более масштабных исследований, ведь группа из 15 человек – совсем не показательная с точки зрения статистики выборка. Тем не менее улучшение памяти в среднем на треть у всех участников эксперимента внушает оптимизм.

Импланты для улучшения памяти уже можно использовать. И они работают!

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *